VDS漏源极电压（VGS=0）500V
VDGR排水栅电压（RGS=20k ω）500V
VGS栅-源电压±30V
ID消耗电流（连续）在TC=25 ° C7.5A
ID消耗电流（连续），TC=100 ° C4.7A
IDM(l)消耗电流（脉冲）30A
提取总耗散在TC=25 ° C100W
降额因子0.8° C /
dv/dt(1)峰值二极管恢复电压斜坡15V/ns
Tstg存储温度-55到150° C
TjMax。经营交界处的温度
MDmeshTM是一新的革命MOSFET技术，将与该公司的PowerMESHTM水平布局关联的多个排水的过程。产生的产品具有杰出低导通电阻、赫然高dv/dt和优秀雪崩特征。采用本公司专有的地带技术收益率整体动态性能明显优于同类竞争产品。
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