主营英飞凌，三菱,富士,东芝,三社,西门子,西门康,IXYS, eupec,等功率模块， 瑞士LEM霍尔传感器、电流传感器、电压传感器；GTR,IGBT,IPM,PIM,ABB,可控硅,整流桥, SAMSUNG、TI、ＮＸＰ、FSC、NS 、ＯN、ＩＲ、等IC 二三极管 MOS管，
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CM100RX-24S
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CM100TU-12F
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CM1500HC-66R
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CM150DX-24A
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CM200E3U-12H
一单元 HSA 1200V: PM400HSA120 PM600HSA120
二单元 DSA 600V: PM200DSA060 PM300DSA060 PM400DSA060 PM600DSA060
1200V: PM75DSA120 PM100DSA120 PM150DSA120 PM200DSA120 PM300DSA120
六单元 CS 600V: PM30CSJ060 PM100CSA060 PM150CSA060 PM200CSA060
1200V: PM100CSA120
七单元 RS 600V: PM75RSA060 PM100RSA060 PM150RSA060
3代（后期）——V 系列智能模块
二单元 DVA 600V: PM400DVA060 PM600DVA060
1200V: PM200DVA120 PM300DVA120
六单元 CVA 600V: PM100CVA060 PM150CVA060 PM200CVA060 PM300CVA060
1200V: PM75CVA120 PM100CVA120 PM150CVA120
一单元 HA 600V (12H): CM300HA-12H CM400HA-12H CM600HA-12H
1200V (24H): CM200HA-24H CM300HA-24H CM400HA-24H CM600HA-24H CM800HA-24H
1400V (28H): CM400HA-28H CM600HA-28H CM150TU-12H
1200V (24A): CM400HA-24A CM600HA-24A
一单元 HU 600V (12H): CM600HU-12H
1200V (24H): CM400HU-24H CM600HU-24H
600V (12F): CM600HU-12F
1200V (24F): CM400HU-24F CM600HU-24F
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V(大于6V，一般取12V到15V)时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。 他没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。 IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。
三菱示意型号：
TM55RZ-M;TM60SA-6;TM60SZ-M;TM90CZ-24;TM90CZ-2H;TM90CZ-H;TM90CZ-M;TM90DZ-24
TM90DZ-2H;TM90DZ-H;TM90DZ-M;TM90EZ-24;TM90EZ-2H;TM90EZ-H;TM90EZ-M;TM90RZ-24;
TM90RZ-2H;TM90RZ-H;TM90RZ-M;TM90SA-6;CM400YE2N-12F ;CM400YE2P-12F;CM600YE2N-12F ;CM600YE2P-12F
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